UMC台湾公司地址 谁有内存条电路图/PCB图?

内存条芯片参数

整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。

颗粒编号解释如下：

1． HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代*的产品。

2． 内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）

3． 处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）

4． 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）

5． 内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）

6． 内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）

7． 接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）
8． 内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）

9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）

10． 封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））

11． 封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））

12． 封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）

13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）

14． 工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））

由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字，它将明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。假如，消费者*到一款这里显示为L的产品（也就是说，它只支持DDR 200的工作频率），那么就算内存条上贴的标签或者包装盒上吹的再好，它也只是一款低档产品。

常见SDRAM 编号识别

维修SDRAM内存条时，首先要明白内存芯片编号的含义，在其编号中包括以下几个内容：厂商名称（代号）、容量、类型、工作速度等，有些还有电压和一些特殊标志等。通过对这些参数的分析比较，就可以正确认识和理解该内存条的规格以及特点。
(1)世界主要内存芯片生产厂商的前缀标志如下：
▲ HY HYUNDAI ------- 现代
▲ MT Micron ------- 美光
▲ GM LG-Semicon
▲ HYB SIEMENS ------ 西门子
▲ HM Hitachi ------ 日立
▲ MB Fujitsu ------ 富士通
▲ TC Toshiba ------ 东芝
▲ KM Samsung ------ 三星
▲ KS KINGMAX ------ 胜创
(2)内存芯片速度编号解释如下:
★ -7 标记的SDRAM 符合 PC143 规范,速度为7ns.
★ �C75标记的SDRAM 符合PC133规范,速度为7.5ns.
★ �C8标记的SDRAM 符合PC125规范,速度为8ns.
★ �C7k/-7J/10P/10S标记的SDRAM 符合PC100规范,速度为10ns.
★ �C10K标记的SDRAM符合PC66规范,速度为15ns.
(3) 编 号 形 式
HY 5a b ccc dd e f g h ii-jj
其中5a中的a表示芯片类别,7---SDRAM; D―DDR SDRAM.
b表示电压,V―3.3V; U---2.5V; 空白―5V.
CCC表示容量,16―16M; 65―64M; 129―129M; 256―256M.
dd表示带宽。
f表示界面，0―LVTTL； 1―SSTL（3）； 2―SSTL_2.
g表示版本号，B―第三代。
h表示电源功耗， L―低功耗； 空白―普通型。
ii表示封装形式， TC―400mil TSOP―H.
jj表示速度，7―143MHZ; 75―133MHZ;8―125MHZ;
10P―100MHZ(CL=2);10S―100MHZ(CL=3)
10―100MHZ(非PC100)。
例：1） HY57V651620B TC-75
按照解释该内存条应为：SDRAM， 3.3V, 64M, 133MHZ.
2) HY57V653220B TC-7
按照解释该内存条应为：SDRAM， 3.3V, 64M, 143MHZ

全球主要内存芯片生产厂家(掌握内存芯片生产技术的厂家主要分布在美国、韩国、日本、德国、台湾)：

序号 品牌 国家/地区 标识 备注
1 三星 韩国 SAMSUNG
2 现代 韩国 HY
3 乐金 韩国 LGS 已与HY合并
4 迈克龙 美国 MT
5 德州仪器 美国 Ti 已与Micron合并
6 日电 日本 NEC
7 日立 日本 HITACHI
8 冲电气 日本 OKI
9 东芝 日本 TOSHIBA
10 富士通 日本 F
11 西门子 德国 SIEMENS
12 联华 台湾 UMC
13 南亚 台湾 NANYA
14 茂矽 台湾 MOSEI

SAMSUNG内存

体含义解释：
例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0
主要含义：
第1位――芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位――芯片类型4，代表DRAM。
第3位――芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位――容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位――数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位――连线“-”。
第14、15位――芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位） × 16片/8bits=256MB（兆字节）。

注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购*时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。

Hynix(Hyundai)现代

现代内存的含义：
HY5DV641622AT-36
HY XX X XX XX XX X X X X X XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1、HY代表是现代的产品

2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；

3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V

4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref

5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位

6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系

7、I/O界面：1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2

8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新

9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片

10、内存芯片封装形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ

11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L :DDR200、H :DDR266B、 K :DDR266A

Infineon（亿恒）

Infineon是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。

HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。

Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。

-7.5――表示该内存的工作频率是133MHz；
-8――表示该内存的工作频率是100MHz。

例如：
1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。

1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位） × 8 片/8=128MB（兆字节）。

KINGMAX、kti

KINGMAX内存的说明

Kingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒*的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。

容量备注：
KSVA44T4A0A――64Mbits，16M地址空间 × 4位数据宽度；
KSV884T4A0A――64Mbits，8M地址空间 × 8位数据宽度；
KSV244T4XXX――128Mbits，32M地址空间 × 4位数据宽度；
KSV684T4XXX――128Mbits，16M地址空间 × 8位数据宽度；
KSV864T4XXX――128Mbits，8M 地址空间 × 16位数据宽度。

Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：
-7A――PC133 /CL=2；
-7――PC133 /CL=3；
-8A――PC100/ CL=2；
-8――PC100 /CL=3。

例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒*，其容量计算为： 64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。

Micron（美光）

以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
含义：
MT――Micron的厂商名称。
48――内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC――供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
16M8――内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。
A2――内存内核版本号。
TG――封装方式，TG即TSOP封装。
-75――内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。

实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒*。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。

其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。

Winbond（华邦）

含义说明：
W XX XX XX XX
1 2 3 4 5

1、W代表内存颗粒是由Winbond生产

2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDR RAM

3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；

4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装

5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz

256M 正品，有保修

SD系列的－－－－－200以下

DDR266－－－－－230左右

DDR333－－－－－230左右

DDR400－－－－－260左右

DDR533－－－－－300左右

内存是主板上重要的部件之一，它是存储CPU与外围设备沟通的数据与程序的部件。在主机中，内存所存储的数据或程序有些是永久的，有些是暂时的，所以内存就有不同形式的功能与作用，而且存储数据的多少也关系着内存的容量大小，传送数据的快慢也关系着内存的速度，这些都跟内存的种类与功能有关。现将内存重要的分类介绍如下：
内存的品牌
内存有许多不同的品牌，这些不同的品牌加载于主板上，它们的排列组合就关系着主板的性能和整个系统的稳定性。除了CPU、主板外，内存是一个关键的部件。每家厂商对于内存的规格、容量以及电路的特性都有不同的要求，所以对于在主板上使用的内存是否有不良的反应都应留意，尤其是高容量、高速度、新规格的内存，在选用时更应注意其特性，现将世界各国生产内存的厂商列出如下
★日本系列： Panasonic（松下）代号：MN
NEC（日本电器）代号：MC
Mitsubishi（三菱）代号： MH
Fujitsu （富士通）代号：MB
Hitachi（日立）代号： HM
Toshiba （东芝）代号： TMM
OkI（冲电气）代号：MSM
Sharp（夏普）代号： LH
Sanyo（三洋）代号：LC
Seiko（精工）代号：SRM
Sony（索尼）代号：CXK
★美国系列： Motorola （摩托罗拉）代号：MCM
NS（国民半导体）代号： NS
TI（ ?菀瞧鳎┐�牛?TMS
Micron（美光）代号：MT
AMD（美国超微）代号： AM
Performance 代号：P
IDT（艾迪特）代号：IDT
★欧洲系列：Semens（德国西门于）代号：Semens
SGS（意大利汤拇逊）代号：T
★台湾系列：联华 代号： UMC
茂矽 代号：Mosel（MX）
德基 代号： Texas
矽成 代号：Is
华邦 代号：Winboard
华撇隆 代号：HMC
★韩国系列： Samsung（三星）代号：KM
Goldstar（金星）代号： GOldStar
Hyundai（ 韩国现代）代号： HY
两种内存新技术动态
为了充分挖掘内存中更多的性能，几种内存新技术正进入高档微机。这些新内存的特点是：
1.EDO DRAM 方案
EDO（Extend Data Out,扩充数据输出）DRAM是一种*作效率更高的单周期内存，它在CAS周期处延迟数据的滞留，因为可维持更长的数据有效时间，这样无需拓宽数据总线也增加了带宽。
EDO内存是目前奔腾机中运用最多的一种内容，这种内存在工作时，允许CPU高效地用上次访问的尾部覆盖某次内存访问的首部；单个内存访问并没有更快，但一连串内存访问的完成时间比标准的快页模式DRAM要少。
2、同步高速内存
我们常说的高速缓存一般采用异步SRAM，它的访问速度相对DRAM来说已大大提高了，但相对CPU来说仍较慢。目前，有一种更新的同步SRAM的高速缓存出现在奔腾机的主板上。例如，在120MHz和更快的奔腾微机的主板上，均采用了Intel的Triton芯片组，该芯片组支持一种称为流水线突发（pipelined burst）高速缓存的特殊同步高速缓存，其中访问速度大大地提高。
除了上述两种新技术外，还有新型的同步DRAM技术和RambusDRAM的系统，这种技术采用25OMHz时钟速度极快地传送大批突发数据。
内存的速度
内存的存取速度关系着CPU对内存读写的时间，所以不同型号规格的内存就有不同的速度，如ROM就有27010-20，27010-15等不同的速度。DRAM也有411000-7、411000－6等不同的速度，这些编号后面的20代表200ns，-15代表150ns，-7代表70ns，-6代表60ns，所以RAM的速度比ROM的速度快很多。当电脑一启动时，把BIOS RoM中的程序拷贝至DRAM内，以后CPU直接与较快的DRAM联络即可，这就是我们所谓的ShadowRAM。
内存有它不同的规格和速度，在不同电路、不同设备也有不同的单位，现将它的应用说明如下：
ms， Milli Second（毫沙）
us： Micro Second（微秒）
ns： Nano Second （纳秒）
数据的传送速度：
以ms为单位，如硬盘的平均存取速度17ms、12ms等。
以us为单位，如DRAM每隔15us更新充电一次。
以ns为单位、如内存的存取速度：
RAM： 41256-8，8即表示80ns。
411000-7，7即表示70ns。
411000-6，6即表示60ns。
ROM： 27256-20， 20即表示200ns。
27512-15，15即表示150ns。
常规内存（Conventional Memory）
常规内存在内存分配表中占用最前面的位置，从0KB到640KB（地址000000H～109FFFFH），共占640KB的容量。因为它在内存的最前面并且在DOS可管理的内存区，我们又称之为Low Dos Memory（低DOS内存），或称为基本内存（Base Memory），使用此空间的程序有BIOS*作系统、DOS*作系统、外围设备的驱动程序、中断向量表、一些常驻的程序、空闲可用的内存空间、以及一般的应用软件等都可在此空间执行。由此可见，在DOS下的应用程序及其*作系统，挤在如此狭窄拥挤的空间里，640KB的容量已经不够使用，这是因为最早使用的CPU是8088，其寻址的地址信号线只有20条线，能够寻址的空间只有lMB，也就是祖先留下的祖产不多，受到先天硬件CPU寻址的限制。因此在规划内存给各个系统以及DOS下的一些套装应用软件使用时，在先天内存不足环境下，“省吃俭用”来分配这点内存， MS-DOS可以控制和管理1MB的内存空间，常规内存占了640KB，其他的384KB保留给BIOS ROM及其他各种扩展卡使用。这640KB的常规内存基本上分两部分，一部分给各种不同的*作系统程序使用，另一部分给数据、程序的使用。 上位内存（UMB）
UMB是英文Upper Memory Block的缩写，是常规内存上面一层的内存（64OKB～1024KB），我们又称之为DOS高端内存（地址为0A0000H～0FFFFFH）。由于PC的老祖先把DOS使用的内存限定在640KB的框框里，所以大家都想尽办法要突破640KB的紧箍罩以摆脱640KB的限制，让DOS的一些程序摆脱640KB藩篱。在DOS可以控制的1MB内存空间中，常规内存占了640KB，其余的384KB的上位内存（UMB）保留给BIOS ROM、显示卡和其他各种扩展卡使用，但是还有一些保留空间未使用，所以在DOS 5.0以上的版本，即有突破640KB的能耐，允许使用常规内存上面的384KB的上位内存UMB（地址0A0000H～OFFFFFlH），但是要超越传统的640KB，必须有一些条件和*作，其条件和*作如下：
◎386以上的电脑和384KB以上的扩展内存。
◎DOS 5．0以上的版本。
◎CONFIG.SYS设置Devuce=C:＼DOS＼HIMEM.SYS（扩展内存XMS驱动程序）。
◎CONFIG.SYS设置Device=C:＼DOS＼EMM386．EXE， NOEMS（扩充内存EMS模拟驱动程序）。
◎CONFIG.SYS设置DOS=HIGH，UMB。
高端内存区（HMA）
HMA是英文High Memory Area的缩写。它是1024KB至1088KB之间的64KB内存，称为高端内存区，其地址为100000H～1OFFEFH或以上，CPU在实地址模式下以Segment:OFFSET（段地址：偏移量）方式来寻址，其寻址的最大逻辑内存空间为（FFFF：FFFF），即10FFEFH，此已超过8088 CPU的20条线所能寻址的lMB的上限，故286CPU的地址线有24条，只要把A20地址信号线的“逻辑门”打开，即可使用此64KB范围的内存，这段内存乃在实地址模式下。一般说HMA是64KB，其实是指lMB以上至我们现在CPU所能寻址的广大空间4GB，它们都称为高端内存区（HMA），如何去打开A20地址线（A20Gate，逻辑门）以上的内存，只要在DOS5.0或以上版本中使用扩展内存驱动程序，其*作如下：
在CONFIG设置驱动程序：
◎286以上的电脑和lMB以上的内存。
◎DOS 5．0以上的版本。
◎Device＝c：＼DOS＼HIMEM.SYS（扩展内存XMS驱动程序）。
◎DOS=HIGH
◎打开A20地址线， A20Gate（逻辑门）=1，即可寻址lMB内存以上的空间。
◎A20地址线没有打开， A20 Gate＝O，不能寻址lMB内存以上的空间。
◎A20 Gate信号由软件驱动键盘BIOS 8042或芯片组产生。
EMB是英文Extended Memory Block（扩展内存块）的缩写，扩展内存是指lMB以上的内存空间，其地址是从100000H开始，连续不断向上扩展的内存，所以把这种内存称为
EMB（Extended Memory Block）。扩展内存取决于CPU的寻址能力， 286 CPU可寻址到16MB, 386 CPU以上至Pentium II CPU可寻址到4GB。但是，有些主板上芯片组的实际地址译码电路并没有设计为可寻址那么大的地址空间，如286 AT的主板上最大寻址空间只到4MB，Pentium系列主板目前的最大扩展内存也只到1GB，距实际CPU的寻址空间还有一段距离。对于这些扩展内存，由于超过了DOS的寻址范围，并不能直接被实地址模式的BIOS或DOS*作系统所使用，只能用于存放数据，除非使用了DOS的扩展器（DOSExtender），或使用Windows3.1/Windows 95/Windows NT/OS2等，在保护模式下供不同*作系统使用。要使电脑主机能使用扩展内存，还需要一些扩展内存驱动程序（XMS）来加以驱动和设置，其驱动程序是DOS5.O以上的版本或Windows所附带的HIMEM.SYS，其在CONFIG.SYS下设置为：
◎Device=C:\DOS\HIMEM.SYS。
◎扩展内存是lMB以上连续的内存。
◎进入扩展内存程序，必须在保护模式下。
◎进入扩展内存，必须先打开CPU的A20逻辑门，使内存寻址连续。
◎在主板由键盘BIOS 8042的A20逻辑门信号输出或芯片组来打开。
◎A20逻辑门信号是实地址模式和保护地址模式的切换开关。
◎执行驱动扩展内存，在实地址模式有64KB高端内存的扩展。
◎扩展至顶端的最大内存，对DOS而言，只能存放数据。
扩充内存（EMS）
EMS是英文Expanded Memory Specification（扩充内存规范）的缩写，是由LOtus／Intel/Microsoft三家公司制订。扩充内存是利用1MB内存中64KB的内存区，此内存区为连续的4页，每页为16KB的实际页内存，它们映射（Memory Mapping）到EMS卡上广大空间的逻辑页内存， EMS 4.0版本驱动程序其映射的内存区为1MB内任意大小的内存，映射的扩充内存空间为32MB，这是另一种扩充内存的方法。一般我们常用比较方便的DOS5．0以上版本，在386 CPU以上有虚拟86和分页的能力，在EMS Emulator模拟程序的控制下，使用扩展内存的广大空间来作为映射的内存，其驱动程序和*作如下：
◎主板和CPU为386CPU以上有虚拟86及4KB分页的能力。
◎使用扩充内存驱动程序（EMS），必须先执行扩展内存驱动程序（EMS）。
◎使用DOS 5.0以上版本，有EMS Emulator扩充内存模拟程序EMM386.EXE的程序来实现主板上扩展内存的映射。即在CONFIG.SYS设置：Device=C:\DOS\EMM386.EXE
◎扩充内存是非连续性的内存，它是用DOS内存的存储体开关（Bank Switch）分页切换映射到EMS的内存空间。
闪速存储器
什么叫闪速存储器（Flash Memory），闪速存储器是目前取代传统的EPROM和EEPROM的主要非挥发性（永久性）的存储器，目前大部分586主板的BIOS都使用闪速存储器，因为闪速存储器具有以下各项优点：
◎具有较快的速度（70ns-200ns）。
◎有节能的管理（Auto Sleep和Standby），低功率和低工作电压的功能。
◎更新数据方便，不须清除即可更改数据。
◎可由硬件或软件来控制数据的保护。
◎在电脑外围设备和通信设备中广泛应用。
◎目前586电脑使用容量为1MB（bit）的闪速存储器，686电脑使用容量为2MB（bit）的闪速存储器。
DRAM内存
DRAM是英文Dynamic RAM的缩写，其意思是动态随机存取内存，它是目前主板上使用的主要内存，因为它的集成度高，较小的体积即可获得较大的容量，而且价格低，所以是目前最常使用的内存。一般主机的内存容量即为DRAM的容量，虽然DRAM内存有容量大，价格低的优点，但是它也有缺点，主板必须有一个刷新电路与之相配合，对它的存储数据作刷新的*作，否则它的数据就会消失，因为它内部存储的数据是靠电容的充电来保存的，而电容会放电，故每隔一段时间就要对DRAM进行刷新。这种刷新*作会影响CPU对DRAM内存存取的效率，DRAM因为是主板主要使用的内存，所以主板在特性和内部的电路也作了一番改进，使之支持不同功能的DRAM。现将DRAM的特点归纳如下：
◎优点：集成度高，相同的体积可获得较大容量，价格便宜。
◎缺点：主板必须要有一个刷新的电路，这会影响CPU对DRAM内存的存取，影响CPU的工作效率。
◎DRAM使用的系统：
○作为CPU与主要数据的暂时存取的内存。
○作为CPU与外围设备显示卡数据的缓冲器或其他家电设备的内存。
SRAM存储器
SRAM是英文Static RAM的缩写，它是一种具有静志存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。不像DRAM内存那样需要刷新电路，每隔一段时间，固定要对DRAM刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积，在主板上哪些是SRAM呢？
一种是置于CPU与主存间的高速缓存，它有两种规格：一种是固定在主板上的高速缓存（Cache Memory）；另一种是插在卡槽上的COAST（Cache On A Stick）扩充用的高速缓存，另外在CMOS芯片1468l8的电路里，它的内部也有较小容量的128字节SRAM，存储我们所设置的配置数据。还有为了加速CPU内部数据的传送，自80486CPU起，在CPU的内部也设计有高速缓存，故在Pentium CPU就有所谓的L1 Cache（一级高速缓存）和L2Cache（二级高速缓存）的名词，一般L1 Cache是内建在CPU的内部，L2 Cache是设计在CPU的外部，但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同时设计在CPU的内部，故Pentium Pro的体积较大。最新的Pentium II又把L2 Cache移至CPU内核之外的黑盒子里。SRAM显然速度快，不需要刷新的*作，但是也有另外的缺点，就是价格高，体积大，所以在主板上还不能作为用量较大的主存。现将它的特点归纳如下：
◎优点，节能、速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。
◎缺点，集成度低，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。
◎SRAM使用的系统：
○CPU与主存之间的高速缓存。
○CPU内部的L1／L2或外部的L2高速缓存。
○CPU外部扩充用的COAST高速缓存。
○CMOS 146818芯片（RT＆CMOS SRAM）。
PB（Pipeline Burst，流水线突发式）SRAM
提高主机系统性能的方法除了更换速度较快、频率较高的主板、CPU以及扩充增加一些主存外，就是要使用支持PB SRAM芯片组的主板，什么叫PB SRAM？它是一种SRAM存储器，也是一种高速缓存（Cache Memory）。它是主板上使用的速度较快的高速缓存，是一种在材质和电路工艺改进的SRAM。根据测试结果，可以给CPU超频两极，较少的费用可以获得较佳的性能。传统长方形的异步SRAM，其工作电压为5V，为以前486主板所使用，由于速度容量的限制，已无法满足现在快速CPU的需求，现已淘汰不用。现在的主板都用速度较快，容量较大的同步PB SRAM，其工作电压为3.3V，其形状为较大的四方形，一般PB SRAM在主板上有两种规格。 ○一种是PB SRAM芯片组固定在主板上，一般为256KB或512KB，为现在大部分的主板采用。
○另一种是PB SRAM模块的方式，插在主板PB SRAM的插槽上，一般我们称之为COAST（Cache On A stick）插槽，由于主板的品牌和规格不同，它们安装的方法和注意事项也不尽相同。这种高速缓存在较新的主板上已淘汰不用。度较快，有的传送速度较慢，其中RAM的速度就比ROM的速度快，主存RAM的速度一般为50至70ns，而ROM的速度则为150至200ns，所以在主机系统的BIOS Setup（BIOS设置程序），就设置有所谓ShadowRAM的*作。电脑启动时，系统就会把主机系统的BIOSROM或VGA卡上的VideoBIOS ROM程序全部载入DRAM内存中，并且将存储有这些程序的内存区改为只读状态。以后凡是CPU要执行系统BIOS中的程序或Video BIOS中的程序，都会自动转至速皮较快的Shadow RAM中执行，如此即可加快CPU的处理速度和屏幕图像的显示，一般电脑一启动，系统即会自动将BIOS ROM和Video ROM设置为Shadow的*作，以加快系统的速度。动态DRAM内部的数据是靠电容特性存储的，但电容会放电，所以使用动态DRAM内存就需要有数据刷新（Refresh）时钟的电路，在几个ms之内必须对DRAM完成充电，否则动态DRAM内存内的数据就会因放电而丢失。因此，动态内存内部结构就好像一个会漏水的茶壶，假如不在一个固定的时间去加水添满的话，里面的光（数据就会消失）。在PC标准的电路里是每隔15 us即充电一况在4ms之内完成整个充电*作。由于CPU的速度越越快，使得DRAM的速度越来越跟不上CPU的处理速度，所以CPU必须增加儿个等待周期，让DRAM刷新充电以后再继续工作，如此势必影响CPU的工作效率，故在AT时代的主板则有交替（Interleave）刷新DRAM内存的设计，即主板必须至少有两组存储休（Bank），当一个存储体供CPU存取数据时，另一个存储体就进行数据刷新，如此才不会牺牲CPU的工作效率。另一种方式为DRAM Page Mode（DRAM页面模式），一般在CPU对DRAM进行读写的一个周期中，我们只能对一个地址进行存取，但是，采用页面模武是将内存的列地址固定，而连续改变内存的行地址，如此可得到一个连续地址的页区块内存，而使CPU能够存取范围较大的数据，而达到CPU快速存取数据的目的。另外，改进DRAM数据读写周期的触发电路和材质，采用具有较佳节能特性的动态内存，在CMOS的设置中对DRAM的刷?芷诮�幸环�髡��映ざ欣RAM刷新充电的时间周期，减少对CPU*作的干扰，这都是增加CPU工作效率的方法。所以，要使内存系统发挥其性能，一方面是延长刷新的时间，另一方面是改进DRAM本身的电路和材质，提高速度，如此内存才能跟上速度一直在倍增的CPU。 在我们的主板上除了有主要的内存外，还有高速缓存。顾名恩义，高速缓存最主要的目的是提高CPU与内存之间数据的传送速度，所以高速缓存在电路的设计上，则置于CPU与主存DRAM之间。当CPU从外围设备读取数据时，经CPU加以处理，再将数据写入主存DRAM中，在写入过程中路经高速缓存，此时会将写入主存DRAM的地址记录在TagSRAM（标记SRAM）内，并将刚才写入主存DRAM中的数据拷贝一份至高速缓存的SRAM内，以备CPU下次就近取用，而不必到较远的DRAM中读取，如此即可加快CPU的存取速度。目前主板高速缓存的规格有256KB和512KB两种容量，购*时应根据当时的价差选购。
主板的高速缓存其容量只有256KB或是512KB，再扩充的容量还是有限的，要把主存几十MB的数据全部拷贝过来是不可能的，因此高速缓存还是无法取代主存的地位，所以只有把经常要读写的数据拷贝到高速缓存内，但是CPU要存取的数据是否在高速缓存内呢？那就涉及到CPU对高速缓存读写的命中率（Hit Ratio）当CPU要读取主存中的数据时，检查高速缓存系统的Tag SRAM的地址数据，当高速缓存内有一份所需的数据时，高速缓存总线的仲裁电路就会将高速缓存系统的大门打，让CPU直接到高速缓存系统中存取数据， CPU就近取村，即可快速存取所要的数据。但是，假如CPU所要存取的数据并不在高速缓存中时，高速缓存总线的仲裁电路就不会将高速缓存至统的大门打开CPU只有跑到比较远的主存，根据数据的地址去存取所需要的数据了。 Tag SRAM
什么叫Tag SRAM，即标记的静态随机存取存储器，它是在高速缓存系统中配合高速缓存的附加SRAM，它也是高速缓存，只是用在高速缓存电路中记录地址数据，当CPU要读取主存某一个地址中的数据时，会先到高速缓存电路中去寻找，对高速缓存系统的Tag SRAM所记录的地址数据进行搜寻和对比，当高速缓存内也存有此地址的数据时，高速缓存总线的仲裁控制电路即将数据读取传回CPU，若对比Tag SRAM记录的地址数据而找不到此数据的地址时，CPU就会到主存读取数据。
当CPU要往主存写入某一个地址的数据时 ，到主存写入数据，然后再到高速缓存电路，对比高速缓存系统的Tag SRAM所记录的地址，当高速缓存内也存有此地址的数据时，则更新高速缓存内的数据以保持主存与高速缓存数据的一致性。对比高速缓存系统Tag SRAM所记录的地址是否为CPU所需读取数据的地址，对应了高速缓存内数据读取的机率，即所谓的命中率（Hit Ratio），命中率的多少要看高速缓存容量的大小、电路的设计、以及执行程序数据的内容，这些都与高速缓存的命中率有关。
内存的ECC
什么叫内存的ECC， ECC是英文Error Check ＆Correct的缩写，其中文的意思是“差错检查与纠正”，是目前功能较强、价格较高的芯片组才支持的功能，如Pentium的8243OHX的芯片组、Pentium II的8244OFX/82440LX／82440BX等芯片组，这些芯片组支持内存ECC校验功能。
ECC的功能不但使内存具有数据检查的能力，而且使内存具备了数据错误修正的功能，以前奇偶校验的是8比特（bit）的数据，用一比特的奇偶校验位来检查数据的正确性，但是具有ECC功能的内存则用4比特来检查8比特的数据是否正确。当CPU读取时，若有一个比特的数据错误，则ECC内存会根据原先存在四个比特中的检测比特，定位那个比特错误，而且会将错误的数据加以校正。这种DRAM内存在整个系统中较稳定，一般用于局域网络的文件服务器，或Internet的服务器，当然其价格也较贵。
如何进行内存的奇偶校验
内存的奇偶校验（Parity Check），在主机系统中，它是对内存和数据读写的一种检查电路，检查写到主存的数据与读取的数据是否相符，假如不符，则通过对CPU强制中断（NMI）的电路，通知CPU死机。
当CPU把数据写入主存时，同时也会把数据送到奇偶校验位产主器/检查器（74280）来加以计算，74280这个芯片是一个9位的奇偶校验位产生器，但也是一个检查器，其实它的主要功能是负责把从CPU输入到DRAM内存的H信号（高电平信号，即“1”信号）加起来看是偶数个“1”还是奇数个“1”，再从它的Even（偶）或Odd（奇）脚输出，此输出的信号就是奇偶校验位（Parity bit）。当CPU把8个比特的数据写入主存时，同时经奇偶校验位产生器加以计算，计算的结果假如是偶数个“1”，则奇偶校验位为”1”假如是奇数个“1”，则奇偶校验位（Parity bit）则为L信号（低电平，即”0”信号），把此奇偶校验位送到第9块内存芯片暂存起来，也就是说，写入数据的时候是产生奇偶校验位（Parity bit），不进行奇偶校验位的检查（Parity Check），因为没有对比检查的机会，所以写入时产主的奇偶校验位可能是“1”，也可能是“0”，在PC AT的电路里，当CPU对主存读取时，则此8个比特的数据在与刚才第9块内存芯片所存储的奇偶校验位相加起来，所得的答案应该为奇数个“1”（即奇校验电路的校验位=“0”），假如是偶数个”1”则启动奇偶校验检查电路，经NMI电路通知CPU死机。所以奇偶校验位的检查（Parity Check）是在读取数据的时候产主，因为只有在读取的时候，才能对比刚才所写入内存的数据有没有错误。
奇偶校验电路可以分两种检查，一种是奇校验检查，一种是偶校验检查，在PC主机电路里是奇校验检查，即读取的时候，奇偶校验位（Parity bit）的Even输出应为“0”，假如奇偶校验位是“1”的话，即产生奇偶校验位错误（Parity Error），然后经NMI电路通知CPU死机，检查时因每一个奇偶校验位产生器/检查器（74280）芯片只能检查8个比特，看看您的CPU是几个比特的，则就有几组74280， Pentium CPU的主机有8个7428O，但现在全部被缩编在芯片组里，故以一组来说明奇校验与偶校验检查的工作原理。
奇校验检查：
◎CPU把数据写入内存时仅产生奇偶校验位，不作奇偶校验位检查。
CPU写入数据时（8bit），经奇偶校验位产生器把8个比特（bit）加起来，计算的结果：
○有偶数个“1”，则奇偶校验位=1。
○有奇数个“1”则奇偶校验位＝0。
○将奇偶校验位（Parity bit）存在第9个内存芯片内。
◎CPU读取内存数据时，此时与刚才写入数据进行对比，进行奇偶校验位检查。
○刚才写入的数据有偶数个“1” 加上存储在第9个内存芯片中的奇偶校验位=“l”，再经奇偶校验位检查器和逻辑电路的计算，Even接脚的输出应为奇数个“1”，即奇偶校验位为“0”。
○刚才写入的数据有奇数个“1”加上存储在第9个内存芯片的奇偶校验位=“0”，再经奇偶校验位检查器和逻辑电路的计算， Even接脚的输出还是为奇数个“1”， 即奇偶校验位为“0”。
○所以无论刚才写入的数据有偶数个“1”还是有奇数个“1”读取的时候都是为固定的奇数个“1”，假如为偶数的话，则系统产生一连串的*作，通知CPU死机。
◎目前大多数主板都支持没有奇偶校验位的DRAM内存，系统的BIOS会锁定（Disable）奇偶校验功能，比较新的BIOS会自动检测主板的DRAM内存是否有奇偶校验位。
◎奇校验：D0～D7加起来有奇数个“1”，由74280Even接脚输出“0”作为校验位。
◎偶校验： D0～D7加起来有偶数个“1”，由74280Odd接脚输出“1”作为校验位。
◎奇校验检查：读取数据时，D0～D7再加上奇偶校验位由74280计算结果，如果共有奇数个“1”，则Even接脚输出“0”，Odd接脚输出“l”。若为偶数个“1”。则Even接脚输出“1”， Odd接脚输出“0”。
◎偶校验检查读取数据时， D0～D7再加上奇偶校验位由74280计算结果，如果共有偶数个“1”，则Even接脚输出“1”，Odd接脚输出“0”。若为奇数个“l”，则Even接脚输出“0”Odd接脚输出“1”。
不同主板如何使用无奇偶校验（Non-Parity）的内存
主板的功能和内存的结构一直在改进，所以在更新或扩充主板和内存的时候，就会碰到主板的CMOS Setup设置程序是否具有设置Parity Check Enable/Disable（偶校验启用／禁用）的功能，只有386或486的主机才有这种设置，因为586以上主板的BIOS大部分都已有自动